CS Clean Systems

CS Clean Systems is uw betrouwbare leverancier van droge gas scrubbers voor toepassing in de halfgeleiderindustrie en aanverwante hightech-industrieën en R&D toepassingen.

De scrubber-technologie, welke voor een zeer efficiënte reiniging zorgt, wordt al meer dan 30 jaar toegepast voor het absorberen van corrosieve, brandbare en hoog toxische gassen uit uitlaatgasstromen. CS Clean Systems zorgt niet alleen voor de levering en installatie van de systemen, maar verzorgt vanuit het Benelux Service Centre ook het onderhoud en de refill van de installatie.

Vacatures

Sales & Service Engineer (Benelux)

Wat ga je doen?

In deze dynamische rol combineer je techniek, service en klantcontact. Geen dag is hetzelfde: de ene dag ondersteun je klanten op locatie in de Benelux, de andere dag werk je vanuit ons kantoor aan offertes, adviestrajecten of nieuwe kansen. Je bent hét technisch aanspreekpunt voor klanten én je speelt een actieve rol in het vergroten van onze marktpositie.

Jouw verantwoordelijkheden

Actief benaderen van nieuwe klanten en realiseren van commerciële kansen
Opbouwen en onderhouden van duurzame klantrelaties
Adviseren over onze technische oplossingen en producten
Geven van productpresentaties en demonstraties
Opstellen, opvolgen en bespreken van offertes
Installeren, testen en onderhouden van onze systemen op locatie
Oplossen van technische storingen, zowel remote als on-site
Uitvoeren van preventief onderhoud
Heldere rapportages en communicatie richting klanten en interne teams

Wat breng jij mee?

Een veelzijdige en zelfstandige rol binnen een innovatieve en internationale organisatie
Afwisseling tussen kantoor, thuis en klantlocaties
Ruimte voor persoonlijke ontwikkeling en opleidingen
Uitstekende primaire en secundaire arbeidsvoorwaarden
Werken in een compact en deskundig team waarin jouw bijdrage echt telt

Wat bieden wij jou?

Bij ons werk je in een innovatieve organisatie met een klein, hecht team. We bieden je een veelzijdige en uitdagende functie met veel verantwoordelijkheid en afwisseling. Je kunt rekenen op uitstekende primaire en secundaire arbeidsvoorwaarden en volop kansen om je verder te ontwikkelen. Bovendien krijg je de kans om te werken in de hightech semiconductorindustrie, een dynamische en vooruitstrevende sector waar je continu nieuwe dingen leert en groeit.

Voor wie ga je werken?

CS Clean Systems is marktleider op het gebied van gasabsorptiesystemen voor de hightechindustrie. Sinds onze oprichting in 1986 in Duitsland werken we dagelijks aan één missie: het creëren van veilige en betrouwbare oplossingen voor het afvoeren van toxische en corrosieve procesgassen. Vanuit ons service center in Heerhugowaard ondersteunen we toonaangevende klanten binnen de semiconductorindustrie. Een sector waarin veiligheid, precisie en continuïteit van essentieel belang zijn. Om ons team te versterken zijn wij op zoek naar een Sales & Service Engineer met technische affiniteit, klantgerichtheid én commerciële drive.

Sollicitatie

Ben jij klaar voor een uitdagende functie binnen een hightech omgeving? Wij leren je graag kennen!

Stuur je sollicitatie met CV naar vanuitert@cscleanbenelux.net, Wij nemen zo snel mogelijk contact met je op.

Semiconductor productie

Scrubbers voor o.a. Ion implanters, plasma etching and CVD tools.

Semiconductor productie

Gas reinigers voor MOCVD, CIGS Photovoltaic processen.

Specialty gasses

Reinigings- en gascabinet oplossingen voor o.a. SF6, CF4, SiH4.

R & D

Scrubbers en gasreinigers voor kleine toepassingen en incidenteel gebruik.

Unieke scrubber-technologie

De uiterst onderhoudsvriendelijke scrubbers zorgen voor en zeer efficiënte reiniging tot op het laagste PPM niveau. Veel van onze systemen worden dan ook bewaakt met een end-point gas detector.

De systemen van CS Clean Systems maken gebruik van de geavanceerde CLEANSORB chemisorptie-technologie, waarmee een ongeëvenaarde gasreiniging wordt gerealiseerd in combinatie met een eenvoudige bediening.

De droge chemisorptiesystemen gebruiken geen elektriciteit, water of brandstof. Bovendien is er geen verontreiniging van kostbare watervoorraden door lozing van verontreinigd afvalwater.

Eén kolom CLEANSORB-granulaat bindt doorgaans enkele duizenden liters gevaarlijk gas tot veilige, vaste bijproducten. Gebruikte CLEANSORB-kolommen worden niet weggegooid, maar opnieuw gevuld met vers absorberend materiaal en leveren minimale hoeveelheden afvalproduct op.

CLEANSORB-granulaat zet gevaarlijke gassen, bij omgevingstemperatuur, om in stabiele anorganische zouten. Dit is de meest hoogwaardige en milieuvriendelijke zuiveringstechnologie voor afvalgas-stromen. Er is een brede range van CLEANSORB-kolomformaten beschikbaar om aan de behoeften van al onze klanten te voldoen, van kleinschalige universitaire onderzoeksinstellingen tot en met 24-uurs wafer-productiefaciliteiten.

CS Clean Systems heeft meer dan 30 jaar ervaring in droge chemisorptie-technologie en biedt geoptimaliseerde oplossingen voor alle procestoepassingen.

CLEANSORB

Droge gas scrubber systemen voor procesafvalgassen.

Lees meer

CLEAN-PROTECT

Beschermt tegen onverwachte schadelijke gasuitstoten

Lees meer

CLEANVENT

Minicartridges voor ontluchtingsleidingen van gaskasten.

Lees meer

PCS Tropo & Strato

Plasma conversie systemen ontwikkeld om gefluoreerde verbindingen te vernietigen.

Lees meer

PCS EXO

Plasma conversie systeem ontwikkeld om NH₃ te vernietigen dat wordt uitgestoten bij GaN en gerelateerde processen.

Lees meer

Services & Support

Wij verzorgen als Service Centre het onderhoud en de refill van de installatie. In essentie komt het erop neer dat wij de scrubber kolommen binnen het systeem voor u wisselen waarbij wij afspraken maken over de responsetijd, zodat de maximale uptime van uw systemen gegarandeerd is.

Gassen

De gaswassers van CS Clean Systems kunnen voor een grote verscheidenheid aan toepassingen en gassen worden ingezet. Hierbij bestaat het reinigen van meerdere gassen in één installatie ook tot de mogelijkheden.

Bekijk gassen naar proces

Process Application	Typical Gases or Liquid Precursors Used

Plasma Etch
Metal Etch	Cl₂, BCl₃, HCl, CF₄, SF₆
Poly Silicon Etch	Cl₂, HBr, Br₂, SF₆, CF₄, NF₃, C4F₈
Nitride Etch, Oxide Etch	CF₄, CHF₃, C₂F₆, C₃F₈, C₄F₈, CH₂F₂, NF₃, SF₆, O₂
Tungsten Etchback	SF₆

Ion Implantation
High, Medium, Low	AsH₃, PH2020-10-08-sgs-gas-0918, BF₃, P, As, Sb, Sb(CH₃)₃, GeH₄, GeF₄, TMGa, GaI₃

ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD
TEOS, undoped	TEOS, O₂, O₃
BPSG	TEOS, O₃, TMP, TMB, SiH4, PH₃, B₂H₆
Poly-Si (doped)	SiH₄, (AsH₃, PH₃)
Silicon Germanium	SiH₄, GeH₄
Oxide	SiH₄, O₂
Nitride, (doped)	SiH₄, NH₃, (TMP, TMB, SiH₄, PH₃, B₂H₆)
Oxynitride, (doped)	SiH₄, NH₃, N₂O, (TMP, TMB, SiH₄, PH₃, B₂H₆)
Low-k dielectrics	1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS
High-k dielectrics	TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET
Gate Electrodes	MPA, Ru(Etcp)₂, PEMAT
Copper & Cobalt CVD	Cu(hfac)(TMVS), Cobaltocene and related metalorganics
Tungsten (Silicide)	WF₆, SiH₄, (DCS)
Barrier Layers	TiCl₄, NH₃, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)₆

Plasma Cleaning
PFC plasma	C₂F₆, C₄F₈, NF₃
Remote NF3 plasma	F₂

Epitaxy
Silicon (doped)	DCS, TCS, SiH4, HCl, (AsH₃, PH₃, B₂H₆)
Silicon-Germanium	SiH₄, GeH₄, CBr₄, 1MS, 2MS, 3MS, HCl
Silicon-Carbide (SiC)	SiH₄, TMAI, HCl

Compound Semiconductors, Optoelectronics, III-V on Si
GaAs, InP MOCVD (OMVPE)	AsH₃, PH₃, TMAl, TMGa, TMln, TBA, TBP, SbH₃, HCl, Cl₂
GaN MOCVD Chamber Clean	HCl, Cl₂
MBE (MOMBE)	As, P, AsH₃, PH₃, SbH₃
III-V Etch	Cl₂, BCl₃, HBr, SiF₄, SF₆, CH₄, GaCl₃, InCl₃, AsH₃, O₂

Photovoltaics
Concentrator Photovoltaics	PH₃, AsH₃, lll-V metalorganics, SiH₄, GeH₄
CIGS	H₂S, H₂Se

GASBEHOUDPRESTATIES * VAN CLEANSORB DROGE BEDDEMPERS

Gas- of vloeibare precursorsoorten	Chemische Formule	Uitlaatconcentratie
Ammonia	NH₃	20 ppm
Arsine	AsH₃	0.05 ppm
Bis(cyclopentadienyl)magnesium	Mg(C₅H₅)₂	3 mg/m³ (MgO)
Bis(tert-butylamino)silane	SiH₂(NHC₄H₉)₂	5 ppm (SiH₄)
Boron tribromide	BBr₃	1 ppm
Boron trichloride	BCl₃	1 ppm
Boron trifluoride	BF₃	0.35 ppm
Bromine	Br₂	0.1 ppm
Carbon monoxide	CO	30 ppm
Chlorine	Cl₂	0.5 ppm
Chlorine trifluoride	ClF₃	0.1 ppm
Chromium hexacarbonyl	Cr(CO)₆	2 mg/m³ (Cr)
Diborane	B₂H₆	0.1 ppm
Dichlorosilane	SiH₂Cl₂	2 ppm (HCl)
Diethyl telluride	Te(C₂H₅)₂	0.1 mg/m³ (Te)
Diethylamine	C₄H₁₁N	5 ppm
Diethylzinc (DEZn)	Zn(C₂H₅)₂	2 mg/m³ (Zn)
Digermane	Ge₂H₆	0.2 ppm (GeH₄)
Dimethyl dimethoxy silane	Si(CH₃)₂(OCH₃)₂	5 ppm (SiH₄)
Dimethyl silane	SiH₂(CH₃)₂	5 ppm (SiH₄)
Dimethyl telluride	Te(CH₃)₂	0.1 mg/m³ (Te)
Dimethylamine	C₂H₇N	2 ppm
Dimethylcadmium	Cd(CH₃)₂	0.01 mg/m³ (Cd)
Dimethylhydrazine (UDMH)	N₂H₂(CH₃)₂	0.01 ppm
Dimethylzinc	Zn(CH₃)₂	2 mg/m³ (Zn)
Disilane	Si₂H₆	5 ppm
Ethylmethylamine	C₃H₉N	2 ppm (dimethylamine)
Fluorine	F₂	1 ppm
Fluorophosgene / Carbonyl fluoride	COF₂	1 ppm (HF)
Formaldehyde	CH₂O	0.3 ppm
Germane	GeH₄	0.2 ppm
Hydrazine	N₂H₄	0.01 ppm
Hydrogen bromide	HBr	1 ppm
Hydrogen chloride	HCl	2 ppm
Hydrogen fluoride	HF	1 ppm
Hydrogen selenide	H₂Se	0.015 ppm
Hydrogen sulfide	H₂S	5 ppm
Iodine	I₂	0.1 ppm
Methyltrichlorosilane	CH₃SiCl₃	2 ppm (HCl)
Monomethyl silane	SiH₃CH₃	5 ppm (SiH₄)
Nitric oxide	NO	25 ppm
Nitrogen dioxide	N₂O₄ (NO₂)	3 ppm
Pentakis(dimethylamino)tantalum (PDMATa)	Ta(N(CH₃)₂)₅	2 ppm (dimethylamine)
Phosgene	COCl₂	0.02 ppm
Phosphine	PH₃	0.1 ppm
Phosphorus pentachloride	PCl₅	1 mg/m³
Phosphorus tribromide	PBr₃	0.5 ppm
Phosphorus trichloride	PCl₃	0.5 ppm
Phosphorus Trifluoride	PF₃	3 ppm
Phosphorylchloride	POCl₃	0.2 ppm
Ruthenocene	C₁₀H₁₀Ru	20 mg/m³ (Ru)
Silane	SiH₄	5 ppm
Stibine	SbH₃	0.1 ppm
Sulfur dioxide	SO₂	0.5 ppm
Tantalum ethoxide	Ta(OC₂H₅)₅	20 mg/m³ (Ta₂O₅)
Tantalum pentachloride	TaCl₅	2 ppm (HCl)
Tantalum pentafluoride	TaF₅	1 ppm (HF)
Tellurium hexafluoride	TeF₆	0.02 ppm
Tertiarybutylarsine (TBAs)	AsH₂(C₄H₉)	0.01 mg/m³ (As)
Tertiarybutylphosphine (TBP)	PH₂(C₄H₉)	0.1 ppm (PH₃)
Tetrabromomethane	CBr₄	1 ppm (HBr)
Tetracarbonylnickel	Ni(CO)₄	0.2 mg/m³ (Ni)
Tetrachlorosilane	SiCl₄	2 ppm (HCl)
Tetraethyl orthosilicate	Si(OC₂H₅)₄	10 ppm
Tetrafluorosilane	SiF₄	1 ppm (HF)
Tetrakis(dimethylamino)hafnium (TDMAHf)	Hf(N(CH₃)₂)₄	2 ppm (dimethylamine)
Tetrakis(dimethylamino)titanium (TDMATi)	Ti(N(CH₃)₂)₄	2 ppm (dimethylamine)
Tetrakis(dimethylamino)zirconium (TDMAZr)	Zr(N(CH₃)₂)₄	2 ppm (dimethylamine)
Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium (TEMAHf)	Hf(NC₂H₅CH₃)₄	2 ppm (dimethylamine)
Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium (TEMAZr)	Zr(NC₂H₅CH₃)₄	2 ppm (dimethylamine)
Titanium tetrachloride	TiCl₄	2 ppm (HCl)
Titanium tetrafluoride	TiF₄	1 ppm (HF)
Trichlorosilane	SiHCl₃	2 ppm (HCl)
Triethylaluminum	Al(C₂H₅)₃	2 mg/m³ (Al)
Triethylborane	B(C₂H₅)₃	0.5 mg/m³ ( H₃BO₃)
Triethylgallium	Ga(C₂H₅)₃	3 mg/m³ (Ga₂O₃)
Triethylindium	In(C₂H₅)₃	0.1 mg/m³ (In)
Triethylphosphate	PO(C₂H₅O)₃	50 mg/m³
Trimethyl phosphite	C₃H₉O₃P	2 ppm
Trimethylaluminum (TMAl)	Al(CH₃)₃	2 mg/m³ (Al)
Trimethylantimony	Sb(CH₃)₃	0.5 mg/m³ (Sb)
Trimethylboron	B(CH₃)₃	0.1 ppm
Trimethylgallium (TMGa)	Ga(CH₃)₃	3 mg/m³ (Ga₂O₃)
Trimethylindium (TMIn)	In(CH₃)₃	0.1 mg/m³ (In)
Trisilane	Si₃H₈	5 ppm (SiH₄)
Tungsten hexacarbonyl	W(CO)₆	5 mg/m³ (W)
Tungsten hexafluoride	WF₆	1 ppm (HF)
Xenon difluoride	XeF₂	1 ppm (F₂)