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Épurateurs
de gaz à sec
Épurateurs de gaz extrêmement efficaces et sûrs
CS Clean Systems
CS Clean Systems est votre fournisseur d’épurateurs de gaz à sec de confiance pour des applications dans l’industrie des semi-conducteurs, l’industrie de la haute technologie et des applications de Recherche et Développement connexes.
La technologie d’épuration, qui assure un nettoyage très efficace, est utilisée depuis plus de 30 ans pour capter les gaz corrosifs, inflammables et hautement toxiques des flux de gaz d’échappement. CS Clean Systems s’occupe non seulement de la livraison et de l’installation des systèmes, mais assure également la maintenance et la recharge de l’installation depuis le Benelux Service Center.
Production de semi-conducteurs
Épurateurs pour implanteurs d’ions, gravure au plasma et outils CVD.
Production de semi-conducteurs
Purificateurs de gaz pour les processus photovoltaïques, MOCVD, CIGS.
Specialty gasses
Solutions de nettoyage et d’armoires à gaz pour SF6, CF4, SiH4 et autres.
Recherche et Développement
Épurateurs et purificateurs de gaz pour petites applications et usage occasionnel.
Technologie d’épuration unique
Les épurateurs extrêmement faciles à entretenir assurent un nettoyage très efficace jusqu’au niveau PPM le plus bas. Beaucoup de nos systèmes sont ainsi surveillés avec un détecteur de gaz au point final.
Les systèmes de CS Clean Systems utilisent la technologie avancée de chimisorption CLEANSORB, qui assure une purification des gaz inégalée combinée à un fonctionnement simple.
Les systèmes de chimisorption à sec n’utilisent pas d’électricité, d’eau ou de carburant. De plus, il n’y a pas de contamination de précieuses ressources en eau par le rejet d’eaux usées contaminées.
Une colonne de granulés CLEANSORB lie généralement plusieurs milliers de litres de gaz dangereux pour former des sous-produits solides et sûrs. Les colonnes CLEANSORB utilisées ne sont pas jetées, mais remplies de matériau absorbant frais et produisent des quantités minimales de déchets.
Les granulés CLEANSORB convertissent les gaz dangereux en sels inorganiques stables à température ambiante. Il s’agit de la technologie de purification la plus qualitative et la plus écologique pour les flux de gaz d’échappement. Une large gamme de tailles de colonnes CLEANSORB est disponible pour répondre aux besoins de tous nos clients, des petits instituts de recherche universitaires aux installations de production de wafers fonctionnant 24 h/24.
CS Clean Systems jouit de plus de 30 ans d’expérience dans la technologie de chimisorption à sec et propose des solutions optimisées pour toutes les applications de processus.
Services et Support
En tant que Service Center, nous nous occupons de la maintenance et de la recharge de l’installation. Essentiellement, cela signifie que nous changeons pour vous les colonnes de l’épurateur au sein du système, moyennant quoi nous nous accordons sur le temps de réponse, afin de garantir la disponibilité maximale de vos systèmes.
Gaz
Les épurateurs de gaz de CS Clean Systems peuvent être utilisés pour une grande variété d’applications et de gaz. La purification de plusieurs gaz dans une même installation est également une option.
Afficher les gaz en fonction du processus
| Application de processus |
Gaz typiques ou Précurseurs liquides utilisés |
| Plasma Etch | |
| Metal Etch | Cl2, BCl3, HCl, CF4, SF6 |
| Poly Silicon Etch | Cl2, HBr, Br2, SF6, CF4, NF3, C4F8 |
| Nitride Etch, Oxide Etch | CF4, CHF3, C2F6, C3F8, C4F8, CH2F2, NF3, SF6, O2 |
| Tungsten Etchback | SF6 |
| Ion Implantation | |
| High, Medium, Low | AsH3, PH2020-10-08-sgs-gas-0918, BF3, P, As, Sb, Sb(CH3)3, GeH4, GeF4, TMGa, GaI3 |
| ALD, LPCVD, PECVD, HDP-CVD | |
| TEOS, undoped | TEOS, O2, O3 |
| BPSG | TEOS, O3, TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6 |
| Poly-Si (doped) | SiH4, (AsH3, PH3) |
| Silicon Germanium | SiH4, GeH4 |
| Oxide | SiH4, O2 |
| Nitride, (doped) | SiH4, NH3, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
| Oxynitride, (doped) | SiH4, NH3, N2O, (TMP, TMB, SiH4, PH3, B2H6) |
| Low-k dielectrics | 1MS, 2MS, 3MS, 4MS, DMDMOS |
| High-k dielectrics | TMA, TEMAH, TDEAH, TAETO, PET |
| Gate Electrodes | MPA, Ru(Etcp)2, PEMAT |
| Copper & Cobalt CVD | Cu(hfac)(TMVS), Cobaltocene and related metalorganics |
| Tungsten (Silicide) | WF6, SiH4, (DCS) |
| Barrier Layers | TiCl4, NH3, TDMAT, PDMATa, PDEATa, TAETO, W(CO)6 |
| Plasma Cleaning | |
| PFC plasma | C2F6, C4F8, NF3 |
| Remote NF3 plasma | F2 |
| Epitaxy | |
| Silicon (doped) | DCS, TCS, SiH4, HCl, (AsH3, PH3, B2H6) |
| Silicon-Germanium | SiH4, GeH4, CBr4, 1MS, 2MS, 3MS, HCl |
| Silicon-Carbide (SiC) | SiH4, TMAI, HCl |
| Compound Semiconductors, Optoelectronics, III-V on Si | |
| GaAs, InP MOCVD (OMVPE) | AsH3, PH3, TMAl, TMGa, TMln, TBA, TBP, SbH3, HCl, Cl2 |
| GaN MOCVD Chamber Clean | HCl, Cl2 |
| MBE (MOMBE) | As, P, AsH3, PH3, SbH3 |
| III-V Etch | Cl2, BCl3, HBr, SiF4, SF6, CH4, GaCl3, InCl3, AsH3, O2 |
| Photovoltaics | |
| Concentrator Photovoltaics | PH3, AsH3, lll-V metalorganics, SiH4, GeH4 |
| CIGS | H2S, H2Se |
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Maxwellstraat 5
1704 SG Heerhugowaard
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